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HAF2021L	文件：92.07 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2021S	文件：92.07 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IS2021S	文件：2.76833 Mbytes Page：57 Pages	Bluetooth짰4.1StereoAudioSOC	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ISG2021	文件：369.33 Kbytes Page：3 Pages	FieldStopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.4V@IC=60A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISG2021	文件：393.88 Kbytes Page：4 Pages	FieldStopandtrenchIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=75A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KPC2021	文件：193.38 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmitting)	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
LC2021	文件：32.11 Kbytes Page：1 Pages	20charactersx2lines 20charactersx2lines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
LMP2021	文件：702.78 Kbytes Page：20 Pages	ZeroDrift,LowNoise,EMIHardenedAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMP2021	文件：1.26861 Mbytes Page：31 Pages	LMP2021/LMP2022ZeroDrift,LowNoise,EMIHardenedAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMP2021	文件：1.34143 Mbytes Page：37 Pages	Zero-Drift,Low-Noise,EMI-HardenedAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMP2021	文件：1.17441 Mbytes Page：31 Pages	LMP2021/LMP2022ZeroDrift,LowNoise,EMIHardenedAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMP2021MA	文件：702.78 Kbytes Page：20 Pages	ZeroDrift,LowNoise,EMIHardenedAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMP2021MA	文件：1.17441 Mbytes Page：31 Pages	LMP2021/LMP2022ZeroDrift,LowNoise,EMIHardenedAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMP2021MA/NOPB	文件：1.34143 Mbytes Page：37 Pages	Zero-Drift,Low-Noise,EMI-HardenedAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMP2021MAX	文件：702.78 Kbytes Page：20 Pages	ZeroDrift,LowNoise,EMIHardenedAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMP2021MAX/NOPB	文件：1.34143 Mbytes Page：37 Pages	Zero-Drift,Low-Noise,EMI-HardenedAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMP2021MF	文件：1.17441 Mbytes Page：31 Pages	LMP2021/LMP2022ZeroDrift,LowNoise,EMIHardenedAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMP2021MF	文件：702.78 Kbytes Page：20 Pages	ZeroDrift,LowNoise,EMIHardenedAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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产品属性

产品编号：
IP2021CTRPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
系列：
iPOWIR™
包装：
卷带（TR）
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出类型：
可调式
输出数：
2
电压 - 输入（最小值）：
8V
电压 - 输入（最大值）：
14V
电压 - 输出（最小值/固定）：
0.8V
电压 - 输出（最大值）：
5V
电流 - 输出：
30A
频率 - 开关：
300kHz ~ 1MHz
同步整流器：
是
工作温度：
-10°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
12-LLGA
供应商器件封装：
12-LLGA（11x7.65）
描述：
IC REG BUCK ADJ 30A DL 12LLGA

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