28 Gbps NRZ OR 56 Gbps PAM4 1X4 PIN PHOTODIODE ARRAY CHIP

FEATURES • Top-illuminated device with optical illumination aperture diameter of 20 μm and 250 μm pitch • G-S-G pads on top for easy of assembly • Die-level self-hermetic • Responds to 1260 nm to 1620 nm • Typical responsivity at 1310 nm is 0.8 A/W • Low capacitance of 80 fF • Low dark cur

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Coherent

高意

28Gbps NRZ或56Gbps PAM4 1X4 PIN光电二极管阵列芯片

光照孔径为20μm、间距为250μm的顶部照明装置。顶部有G-S-G垫，便于组装。模具级自封闭响应于1260纳米至1620纳米。1310 nm处的典型响应率为0.8 A/W。80 fF的低电容低暗电流和高可靠性工作温度-40°C至85°C符合RoHS标准

II-VI

大普
N/A

大普

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ATHEROS
QFP100

ATHEROS

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INTELLON
BGA

Intellon

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