TOP ILLUMINATED SELF-HERMETIC MONITOR PHOTODIODE (MPD) CHIP

FEATURES • Top illuminated monitor photodiode with a nominal active area of 255 μm x 255 μm • Operating temperature -40 °C to 90 °C • Qualified according to GR-468 for use in non-hermetic packages • Extremely low dark current with high reliability • Response to 1270 -1620 nm with typical re

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顶级发光自封闭监控光电二极管（MPD）芯片

特点顶部发光显示器光电二极管，标称有效面积为255μm x 255μm。操作温度-40°C至90°C根据GR-468，在非封闭包件中使用时合格。暗电流极低，可靠性高响应于1270-1620nm，1310nm时典型响应率为0.9 A/W。符合RoHS标准 • 顶部发光显示器光电二极管，标称有效面积为255μm x 255μm。\n• 操作温度-40°C至90°C\n• 根据GR-468，在非封闭包件中使用时合格。\n• 暗电流极低，可靠性高\n• 响应于1270-1620nm，1310nm时典型响应率为0.9 A/W。\n• 符合RoHS标准;

II-VI

EDGE-ILLUMINATED SELF-HERMETIC MONITOR PHOTODIODE (EMPD) CHIP

FEATURES • Edge-illuminated InGaAs monitor photodiode with a nominal active area of 210 μm x 210 μm • Operating temperature -40 °C to 90 °C • Qualified according to GR-468 for use in non-hermetic packages • Extremely low dark current with high reliability • Response to 1270 - 1620 nm with t

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