存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR2
存储容量
2Gb
存储器组织
128M x 16
存储器接口
并联
时钟频率
400 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns
访问时间
400 ps
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
84-TFBGA
供应商器件封装
84-TWBGA（8x12.5）
IS43DR16128C-25DBLI 存储器 IC 2Gb 并联 400 MHz 400 ps 84-TWBGA（8x12.5）
2026-9-28 9:31:00
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IS43DR16128C-25DBLI 存储器 IC 2Gb 并联 400 MHz 400 ps 84-TWBGA（8x12.5）
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