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ESD7551N2T5G安森美

2026-10-27 14:09:00
  • ESD7551N2T5G保护二极管‌,采用 DFN1006-2 微型封装,工作电压 3.3V,专为 USB 2.0、天线等高频电路提供静电防护 。‌‌‌

ESD7551N2T5G安森美

‌ESD7551N2T5G 是安森美(ONSEMI)生产的一款 ESD 保护二极管‌,采用 DFN1006-2 微型封装,工作电压 3.3V,专为 USB 2.0、天线等高频电路提供静电防护 。‌‌‌


‌电压与功率‌:反向工作电压为 3.3V,击穿电压范围在 5V 至 7.5V 之间,钳位电压约 13V,直流功率耗散 0.25W。

‌封装与电容‌:使用 DFN1006-2(CASE 714AB)封装,结电容极低(约 0.25pF),适合高频信号线路 。

‌防护标准‌:符合 IEC 61000-4-2 静电放电标准,能承受接触放电±20kV、空气放电±25kV 的冲击 。‌‌‌

‌典型应用‌:常用于手机、3C 数码产品的 USB 接口、SIM 卡槽、天线馈线等对静电敏感的引脚保护 。


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