
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.8A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 28 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th) 1.45V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 7 nC @ 4.5 V
Vgs ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 630 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)