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DMN65D8LW-7 MOSFET

2025-5-19 14:01:00
  • DMN65D8LW-7

製造商: Diodes Incorporated

產品類型: MOSFET

RoHS:

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: SOT-323-3

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V

Id - C連續漏極電流: 300 mA

Rds On - 漏-源電阻: 3 Ohms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V

Qg - 閘極充電: 870 pC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 300 mW

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

品牌: Diodes Incorporated

配置: Single

下降時間: 7.3 ns

互導 - 最小值: 80 mS

產品類型: MOSFETs

上升時間: 2.8 ns

系列: DMN65

3000

子類別: Transistors

晶體管類型: 1 N-Channel

標準斷開延遲時間: 12.6 ns

標準開啟延遲時間: 2.7 ns

每件重量: 6 mg