场效应管 2N7002KT1G 表面贴装型 N 通道 60 V 320mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 320mA（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（） 1.6 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（） 2.3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（） 0.7 nC @ 4.5 V

Vgs（） ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（） 24.5 pF @ 20 V

FET 功能 -

功率耗散（） 300mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）