零件状态在售
FET 类型P 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)1.5 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)800 mV @ 10 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）11pF @ 10V（VGS）
电阻 - RDS(On)300 Ohms
功率 - 最大值225 mW
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）
基本产品编号MMBFJ177
