关键特性
_存储容量：2 Mb（256 KB）
_接口：SPI 兼容接口（支持模式 0 和模式 3）
_工作电压：
_2.7 V 至 3.6 V（低电压版本）
_页大小：
_主存储器：264 字节/页
_缓冲存储器：264 字节
_读写性能：
_最高时钟频率：85 MHz
_页编程时间：典型值 7 ms
_块擦除时间：典型值 35 ms
_耐久性：
_每页可擦写次数：10 万次
_数据保留：20 年
_封装：8 引脚 SOIC
功能描述
AT45DB021E-SHN-T 是一款基于 SPI 接口的 NOR 闪存，具有以下功能特点：
_灵活的页操作：
_支持页编程和页读取。
_提供两个 264 字节的 SRAM 缓冲区，支持连续读写操作。
_低功耗设计：
_适合电池供电设备。
_硬件保护：
_支持写保护和部分区域保护。
_快速擦除：
_支持页擦除、块擦除和整片擦除。
应用领域
AT45DB021E-SHN-T 广泛应用于需要小容量、高可靠性和低功耗存储的场景，包括：
_消费电子：
_智能家居设备
_可穿戴设备
_工业控制：
_数据记录
_固件存储
_通信设备：
_网络设备配置存储
_无线模块固件存储
_医疗设备：
_便携式医疗设备数据存储
_汽车电子：
_车载传感器数据存储
