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制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
工作频率: 1 GHz
增益: 13 dB
输出功率: 30 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: M250
封装: Bulk
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 1.8 S
高度: 3.94 mm
长度: 9.91 mm
Pd-功率耗散: 74 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: SD57030-01
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: LDMOS FET
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 20 V
宽度: 6.09 mm
单位重量: 880 mg
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