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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 59 A
Rds On-漏源导通电阻: 56 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 100 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 200 ns
高度: 20.1 mm
长度: 16.2 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 575 ns
系列: FDA59N30
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 140 ns
宽度: 5 mm
零件号别名: FDA59N30_NL
单位重量: 4.600 g
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