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4N80L-TN3-R 是一个 N 沟道增强型功率 MOSFET,常用于电源转换和功率管理应用

2025-8-8 10:20:00
  • 4N80L-TN3-R

4N80L-TN3-R 是一个 N 沟道增强型功率 MOSFET,常用于电源转换和功率管理应用

4N80L-TN3-R 是一个 N 沟道增强型功率 MOSFET,常用于电源转换和功率管理应用。以下是其主要功能和参数:

主要功能

开关操作:用于高速开关应用,适合于电源转换器和逆变器。

电压和电流处理能力:能够处理高电压和高电流,适用于各种功率管理场合。

低导通电阻:在开启状态下具有较低的导通电阻,从而降低功率损耗和提高效率。

耐高电压:能够在高压环境下稳定工作。

主要参数

漏极-源极电压 (V_DS):通常可以承受高达 800V。

连续漏极电流 (I_D):典型值可能为 4A,具体取决于应用条件。

导通电阻 (R_DS(on)):在指定的栅极电压下,通常很低,以确保高效的电流传导。

功耗 (P_D):支持大功耗,具体值取决于封装和散热条件。

封装:常见为 TO-220 封装,便于安装和散热。