技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Id-连续漏极电流: 130 mA
Rds On-漏源导通电阻: 10 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
