零件状态在售
FET 类型
N 通道技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9.8 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）10.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）690 pF @ 15 VFET 功能-
功率耗散（最大值）45W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装LFPAK33
封装/外壳SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
基本产品编号PSMN9R8
