零件状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

37A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

11.6 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.95V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

10.3 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

641 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

29W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳

SC-100，SOT-669

基本产品编号

PSMN011