制造商产品型号: NTB082N65S3F
类别 分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商 onsemi
系列 SuperFET® III
包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 82 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 81 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3410 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 313W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号 NTB082
