产品种类: _ MOSFET _
RoHS: _ _详细信息 _
技术: _ SiC _
安装风格: _ Through Hole _
封装 / 箱体: _ TO-247-4 _
晶体管极性: _ N-Channel _
通道数量: _ 1 Channel _
Vds-漏源极击穿电压: _ 1.2 kV _
Id-连续漏极电流: _ 55 A _
Rds On-漏源导通电阻: _ 40 mOhms _
Vgs - 栅极-源极电压: _ - 4 V, + 22 V _
Vgs th-栅源极阈值电压: _ 5.6 V _
Qg-栅极电荷: _ 107 nC _
最大工作温度: _ + 175 C _
Pd-功率耗散: _ 262 W _
通道模式: _ Enhancement _
封装: _ Tube _
商标: _ ROHM Semiconductor _
配置: _ Single _
下降时间: _ 20 ns _
正向跨导 - 最小值: _ 8.3 S _
湿度敏感性: _ Yes _
产品类型: _ MOSFET _
上升时间: _ 21 ns _
_ 450 _
子类别: _ MOSFETs _
典型关闭延迟时间: _ 27 ns _
典型接通延迟时间: _ 6 ns
SCT3040KRC15 MOSFET是一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，具有广泛的应用领域和重要的作用。作为一种关键的电子元件，MOSFET在电力电子、通信、计算机硬件等领域中发挥着重要作用。
SCT3040KRC15 MOSFET具有许多优点，如高频特性好、开关速度快、功耗低、体积小等。它在功率放大、开关控制、逆变器等方面具有独特的优势，可以提高电路的效率和性能。
在现代电子技术领域，SCT3040KRC15 MOSFET被广泛应用于各种电子设备和系统中。它可以用于功率放大器、逆变器、直流-直流转换器、交流-直流转换器等电路中，为这些设备提供稳定可靠的电力控制。
总的来说，SCT3040KRC15 MOSFET作为一种重要的电子元件，对于现代电子技术的发展起着重要的推动作用。它的出现和应用，为电子设备的性能提升和功能扩展提供了有力支持，促进了电子科技的不断进步和发展。
