制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 76 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV
Qg-栅极电荷: 7.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
系列: CSD25402Q3A
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 12 ns
高度: 0.9 mm
长度: 3.15 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 3 mm
单位重量: 27.800 mg
