制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSONP-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 76 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV

Qg-栅极电荷: 7.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 125 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

系列: CSD25402Q3A

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Texas Instruments

配置: Single

下降时间: 12 ns

高度: 0.9 mm

长度: 3.15 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel Power MOSFET

典型关闭延迟时间: 25 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

宽度: 3 mm

单位重量: 27.800 mg