Vishay TrenchFET® 第五代功率 MOSFET 可为隔离式和非隔离式拓扑提供更高的功率密度和效率。超低导通电阻、高达 +175°C 的工作温度以及 Vishay 节省空间的 PowerPAK® 封装有助于通过键合无引线结构提高板级可靠性。TrenchFET 第五代 MOSFET 改进了 FOM，可实现更高效的功率转换。该系列经过 100%_RG 和 UIS 测试，符合 RoHS 标准且不含卤素。
特性
TrenchFET 第五代功率 MOSFET
超低 RDS(ON) x QG FOM 产品
优化的 QGD/QGS 比率
卓越的电源效率表现
应用
初级侧开关
电信电源同步整流
电池管理
工业市场
