NVMFWS002N10MCL单N沟道功率

安森美NVMFWS002N10MCL单N沟道功率MOSFET具有177A的连续漏极电流、10V时2.8mΩ的RDS(ON) 和100V的漏-源电压。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm扁平引线封装，开发用于紧凑高效的设计。安森美半导体符合AEC-Q101标准的MOSFET具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。
特性

_占位面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
_低RDS(on)，最大限度地降低了导通损耗
_低QG 、低电容，使驱动器损耗降到最小

_符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
_无铅、无卤/无BFR、无铍，符合RoHS指令

应用

_48V系统
_开关电源
_反向电池保护

_电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H桥等）