制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 45 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 190 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 262 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 762 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
