特性
_单线双向ESD保护
_符合OPEN Alliance 100BASE-T1和1000BASE-T1规范
_触发电压：>100V
_典型电容：<2pF
_典型钳位电压：34V
_工作温度范围：-55°C至150°C
_紧凑型DFN1006-2B封装
_封装高度低：<0.5mm
_符合AEC-Q101标准
_符合UL 94V-0可燃性等级
_符合ESD抗扰度标准，符合ISO 10605和IEC 61000-4-2（150pF/330Ω）±15kV（1000 x接触放电）
_湿度灵敏性等级（MSL）：1级（符合J-STD-020标准）
8，
DRF1510驱动器射频MOSFET混合器
Microchip Technology DRF1510驱动器射频MOSFET混合器件是一款完整的桥接器件，经优化可最大限度地提高D类放大器的效率。DRF1510具有专有的防环型功能，可消除桥式或推挽式拓扑中的交叉传导。Microchip DRF1510驱动器射频MOSFET混合器可通过反相或非反相配置进行外部选择。
规范
_Pout：2000W
_频率：30MHz
_Vdd/Bvdss：15V/500V
_T5封装类型
_D-E级运行
