品牌
Infineon
封装
PG-TO220-3
批号
22+
数量
1200
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
68 nC
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
下降时间
6.4 ns
上升时间
8.4 ns
零件号别名
IPP65R190CFDXKSA1 SP000881160 IPP65R19CFDXK IPP65R
单位重量
6 g
可售卖地
全国
型号
IPP65R190CFD
