编号：863-NSV1C201MZ4T1G
制造商编号：
NSV1C201MZ4T1G
制造商：onsemi
客户编号:
说明：
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA
数据表:
NSV1C201MZ4T1G 数据表 (PDF)
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制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
集电极—基极电压 VCBO: 140 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V
集电极—射极饱和电压: 180 mV
最大直流电集电极电流: 2 A
Pd-功率耗散: 800 mW
增益带宽产品fT: 100 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
资格: AEC-Q101
系列: NSS1C201MZ4
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 2 A
直流电流增益 hFE 最大值: 360
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
单位重量: 112 mg
