FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A（Ta），19A（Tc）

驱动电压 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻 23 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th) 2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 19 nC @ 10 V

Vgs ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 582 pF @ 20 V

FET 功能 -

功率耗散 2.3W（Ta），15W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 DFN2020MD-6

封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘

基本产品编号 BUK6D23