晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic) 500 mA
电压 - 集射极击穿 45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降 700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE) 250 @ 100mA，1V
功率 300 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
