NGTB40N120FL3WG是一款1200V、40A的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，具有以下主要特性和功能：
1. 高电压和电流能力：NGTB40N120FL3WG芯片能够承受高达1200V的电压和40A的电流，适用于高功率应用和工业电子设备。
2. 低导通和开关损耗：该芯片采用先进的IGBT技术，具有低导通和开关损耗，可以提高系统的效率和能量转换效率。
3. 高可靠性和耐压能力：NGTB40N120FL3WG芯片具有良好的耐压能力和可靠性，能够在恶劣的工作环境下长时间稳定运行。
4. 高速开关特性：该芯片具有快速的开关特性，能够实现快速的开关操作和高频率的开关转换，适用于需要高速开关的应用。
5. 低饱和电压：NGTB40N120FL3WG芯片具有低饱和电压特性，可以减少功耗和热量产生，提高系统的效率和可靠性。
6. 封装和引脚配置：该芯片封装为TO-247封装，提供了方便的安装和连接方式。
7. 应用领域：NGTB40N120FL3WG广泛应用于电源转换、电机驱动、变频器、逆变器和其他高功率应用中，如工业自动化、电力系统和交通运输等。
技术参数
针脚数3
耗散功率454 W
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
反向恢复时间136 ns
额定功率(Max)454 W
输出电流30mA @5V
供电电流850 µA
电路数1
通道数1
共模抑制比120 dB
转换速率400 mV/μs
增益频宽积1.5 MHz
输入阻抗1.00 TΩ
输入补偿电压1 µV
输入偏置电流10 pA
工作温度(Max)125 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
增益带宽1.5 MHz
共模抑制比(Min)120 dB
封装参数
安装方式Surface Mount
引脚数8
封装SOIC-8
外形尺寸
长度8.75 mm
宽度4 mm
高度1.5 mm
封装SOIC-8
物理参数
工作温度-40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
符合标准
RoHS标准RoHS Compliant
含铅标准Lead Free
军工级No
