制造商: NXP
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.5 W
通道模式: Enhancement
商标: NXP Semiconductors
配置: Single
下降时间: 45 ns
高度: 1.45 mm
长度: 5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 16 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 4 mm
单位重量: 506.600 mg
