SM4T6V7AY/SM4T6V7CAY，双向TVS 5V截止 174A峰值脉冲，瞬态抑制二极管
ST(意法半导体) 封装： SMA(DO-214AC)
反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：6.4V 最大钳位电压：13.4V
Table 2. Electrical characteristics, typical values if not otherwise stated (Tamb = 25 °C)
Order code IRM max @ VRM VBR @ IR (1) VCL @ IPP 10/1000 µs RD 10/1000 µs VCL @ IPP 8/20 µs RD 8/20 µs
αT (2) 25 °C 85 °C min. typ. max. max. max. maxµA V V mA V(3) A(4) Ω V(3) A(4) Ω 10-4/°C
SM4T6V7AY/SM4T6V7CAY 20 50 5 6.4 6.74 7.1 10 9.2 43.5 0.049 13.4 174 0.036 5.7
SM4T7V6AY/SM4T7V6CAY 20 50 6.5 7.2 7.58 8.0 10 11.2 35.7 0.091 14.5 160 0.041 6.1
SM4T10AY/SM4T10CAY 20 50 8.5 9.4 9.9 10.4 1 14.4 27.7 0.145 19.5 124 0.073 7.3
SM4T12AY/SM4T12CAY 0.2 1 10 11.1 11.7 12.3 1 17.0 23.5 0.201 21.7 106 0.089 7.8
SM4T14AY/SM4T14CAY 0.2 1 12 13.3 14.0 14.7 1 19.9 20.1 0.259 25.3 91 0.116 8.3
SM4T15AY/SM4T15CAY 0.2 1 13 14.4 15.2 16.0 1 21.5 18.6 0.298 27.2 85 0.132 8.4
SM4T18AY/SM4T18CAY 0.2 1 15 16.7 17.6 18.5 1 24.4 16.4 0.361 32.5 71 0.197 8.8
SM4T21AY/SM4T21CAY 0.2 1 18 20.0 21.1 22.2 1 29.2 13.7 0.514 39.3 59 0.291 9.2
SM4T23AY/SM4T23CAY 0.2 1 20 22.2 23.4 24.6 1 32.4 12.3 0.637 42.8 54 0.338 9.4
SM4T26AY/SM4T26CAY 0.2 1 22 24.4 25.7 27.0 1 35.5 11.2 0.760 48.3 48 0.444 9.6
SM4T28AY/SM4T28CAY 0.2 1 24 26.7 28.1 29.5 1 38.9 10.3 0.912 50 46 0.446 9.6
SM4T30AY/SM4T30CAY 0.2 1 26 28.9 30.4 31.9 1 42.1 9.5 1.07 53.5 43 0.502 9.7
SM4T33AY/SM4T33CAY 0.2 1 28 31.1 32.7 34.3 1 45.4 8.8 1.26 59 39 0.632 9.8
SM4T35AY/SM4T35CAY 0.2 1 30 33.3 35.1 36.9 1 48.4 8.3 1.39 64.3 36 0.762 9.9
SM4T39AY/SM4T39CAY 0.2 1 33 36.7 38.6 40.5 1 53.3 7.5 1.70 69.7 33 0.884 10
SM4T47AY/SM4T47CAY 0.2 1 40 44.4 46.7 49.0 1 64.5 6.2 2.49 84 27 1.30 10.1
SM4T50AY/SM4T50CAY 0.2 1 43 47.8 50.3 52.8 1 69.4 5.7 2.91 91 25 1.53 10.2
SM4T56AY/SM4T56CAY 0.2 1 48 53.3 56.1 58.9 1 77.4 5.2 3.56 100 23 1.79 10.3
SM4T68AY/SM4T68CAY 0.2 1 58 64.4 67.8 71.2 1 93.6 4.3 5.21 121 19 2.62 10.4
SM4T82AY/SM4T82CAY 0.2 1 70 77.8 81.9 86.0 1 113 3.5 7.72 146 16 3.75 10.5
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。
新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属，优化了第2代产品的结势垒肖特基（JBS）结构[2]。它们实现业界领先[3]的1.2V（典型值）低正向电压，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新产品还在正向电压与总电容电荷之间以及正向电压与反向电流之间取得了平衡，从而在降低了功耗的同时提高了设备效率。
• 应用
- 开关电源
- 电动汽车充电桩
- 光伏逆变器
• 特性
- 业界领先[3]的低正向电压：VF＝1.2V（典型值）（IF＝IF(DC)）
- 低反向电流：TRS6E65H IR＝1.1μA（典型值）（VR＝650V）
- 低总电容电荷：TRS6E65H QC＝17nC（典型值）（VR＝400V，f＝1MHz）
CS8121 4.0W/6V/4Ω ESOP-8 2.5V-7.0V 4节干电池/两节锂电池串接供电的4.0W单声道D类音频功放IC
HT6872 4.71W/6.5V/4Ω SOP-8 2.5V-7.5V 4.7W防削顶单声道D类音频功率放大器 HT6871/HT6873
CS8626 50W/23V/6Ω ESOP-16 8V-23V 50W单声道D类音频放大器，管脚兼容CS8622/CS8623 CS8622/CS8623
HT8692 6.5W/2.5V-5.5V(内置升压模块）/4Ω SOP-16 2.5V-5.5V 内置BOOST升压、防破音功能、恒定5.0W功率输出的单声道D类功放IC
CS8326 PO at 10%_THD+N, VIN = 3.7V RL = 4 Ω 7.0W(BOOST升压值为7.5V) RL = 4 Ω SOP-16 3V-5V 内置BOOST升压、恒定7.0W输出功率、AB类/D类切换单声道音频功放IC CS8323
HT3382 2×75W (VDD=24V, RL=4Ω, THD+N=10%) TSSOP-28 4.5V-26V 2×75W D类立体声音频功放 AD52095
CS8676 2X20W/12V/4Ω或33W/16V/4Ω ESOP-16 5V-18V 扩频功能,低空载电流,40倍增益,免滤波,2X20W&33W(PBTL) D类音频放大器
ACM3108 2×25W, 1%_THD+N, 16V, 4Ω, BTL ； 1×50W, 1%_THD+N, 16V, 2Ω, PBTL TSSOP-28 4.5V-16V 动态调整升压CLASS H功能、25W双声道/50W单声道D类音频功放IC AD52068/TPA3110
CS8679 2X23W/15V/4Ω或33W/16V/4Ω（PBTL） EQA-16 5V-18V 扩频功能、低空载电流、40倍增益、免滤波、2X23W/33W(PBTL) D类音频放大器
