IS42S16160G-7BLI 是一款动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM），由Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 公司生产。以下是该产品的一些主要特性：
1. 容量：IS42S16160G-7BLI的容量为16Mb（兆位），相当于2MB（兆字节）的存储空间。每个位被存储为一个电容器，以提供存储功能。
2. 速度：该DRAM芯片具有快速的访问速度，采用7ns的访问时间，有助于实现高效的数据读写操作。
3. 接口：IS42S16160G-7BLI采用 Synchronous DRAM（SDRAM）技术，与微处理器或其他主控芯片通过并行存储器总线进行通信。
4. 供电电压：该DRAM芯片的工作电压为3.3V，可以在标准的3.3V电源下工作。
5. 封装形式：IS42S16160G-7BLI常见的封装形式为54球FBGA（Fine-pitch Ball Grid Array），这种封装形式方便进行表面贴装焊接，适合用于大规模的电子产品制造。
DRAM是一种常用的主存储器，广泛应用于计算机、服务器、通信设备和嵌入式系统等领域。
制造商: ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 环保
类型: SDRAM
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: BGA-54
数据总线宽度: 16 bit
组织: 16 M x 16
存储容量: 256 Mbit
最大时钟频率: 143 MHz
访问时间: 5.5 ns
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 3 V
电源电流—最大值: 130 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: IS42S16160G
商标: ISSI
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
包装数量：348
子类别: Memory & Data Storage
单位重量: 99.700 mg
