RFN20T2DNZC9是一款射频功率场效应晶体管（RF Power Field Effect Transistor，简称RF FET）。以下是其主要功能：
1. 高功率输出：RFN20T2DNZC9具有高功率输出能力，可以在射频（RF）应用中提供较大的输出功率。这使得它适用于需要高功率输出的无线通信系统、雷达系统、广播系统等应用。
2. 宽频带：该晶体管具有宽频带特性，可以在较宽的频率范围内工作。这使得它适用于多种频段的射频应用，如UHF、VHF、L频段等。
3. 高效率：RFN20T2DNZC9具有高效率的特点，可以将输入的直流电能有效地转换为射频输出功率。这使得它在电源利用率和能源消耗方面具有优势。
4. 低失真：该晶体管具有低失真特性，可以在射频信号传输中保持较低的失真水平。这使得它适用于要求高信号质量和低失真的应用，如无线通信系统和音频放大器等。
5. 高可靠性：RFN20T2DNZC9采用高可靠性材料和封装工艺，具有良好的耐压、耐热和抗振动能力。这使得它能够在恶劣环境下工作，并具有较长的使用寿命。
总的来说，RFN20T2DNZC9是一款具有高功率输出、宽频带、高效率、低失真和高可靠性的射频功率场效应晶体管。它适用于各种射频应用，能够提供稳定、高效的射频功率放大功能。
產品: Switching Diodes
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-220FN-3
峰值反向電壓: 200 V
最大衝擊電流: 100 A
If - 順向電流: 20 A
配置: Common Cathode
恢復時間: 16 ns
Vf - 順向電壓: 900 mV
Ir - 反向電流: 10 uA
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
品牌: ROHM Semiconductor
產品類型: Diodes - General Purpose, Power, Switching
