bychip可替代FDN340P-NL

bychip可替代FDN340P-NL导读

所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。 结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主，主要还是电压为0的时候，D极和S极能否导通的问题。在实际应用中，以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。

了解MOS管的工作原理，能够让我们能更好的运用MOS管，而不是死记怎么用。MOS管原理本文MOS管的原理说明以 增强型NMOS 为例。为了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基础的 N 型半导体 和 P 型半导体。

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在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。 掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。

PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。我们通过原理分析可以得知，NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。PMOS价格贵，厂商少，型号少。（相对而言，其实MOS管发展到现在，普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）。 PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区： 可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。

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IRLML6401TRPBF

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

APM4828KC-TRL、BSH103、BSH114、BSL302SN、BSP250、CEM4953、CES2312、CEU4311、CJ8810、CMD12N10。

FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。

AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。

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事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。场效应管通过投影 P沟道mos管符号 P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。

只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。

文章来源： www.bychip.cn