技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
20A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.55 V @ 20 A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
400 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
730pF @ 1V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-263AB
工作温度 - 结
175°C（最大）
基本产品编号
SCS220
