NTR4501NT1G
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV
Qg-栅极电荷: 2.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
系列: NTR4501 晶体管类型: MOSFET 典型关闭延迟时间: 6.5 ns 典型接通延迟时间: 1.3 mm 宽度: 8 mg PDF资料 电子管-场效应管-NTR4501NT1G
