UCC21755-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，专为 SiC MOSFET 和 IGBT 设计，工作电压高达 2,121 VDC，具有高级保护功能、一流的动态性能和高稳健性。该驱动器具有高达 ±10 A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧与输出侧的隔离使用了 SiO2 电容隔离技术，支持高达 1.5 kVRMS 的工作电压、12.8 kVPK 的浪涌抗扰度和超过 40 年的隔离栅寿命，并提供低部件间时序偏差和大于 150 V/ns 的共模噪声抑制 (CMTI)。
UCC21755-Q1 具有先进的保护功能，例如快速的过流和短路检测、并联电流检测支持、故障报告、有源米勒箝位，以及输入和输出侧电源 UVLO，以优化 SiC 和 IGBT 的开关性能和稳健性。隔离的模拟至 PWM 传感器可用于更轻松地进行温度和电压感测，从而增加驱动器的通用性，简化系统设计工作，减小尺寸和降低成本。
特性
5.7 kVRMS 单通道隔离栅极驱动器
获得 AEC-Q100 认证，结果如下：
0 级环境工作温度范围：-40°C 至 +150°C
设备 HBM ESD 分类级别 3A 和设备 CDM ESD 分类级别 C6
功能安全性质量管理：可提供有助于功能安全系统设计的说明文档
高达 2,121 VPK 的 SiC MOSFET 和 IGBT
输出驱动电压 (VDD-VEE)：33 V（最大值）
驱动强度和分离输出：±10 A
CMTI：150 V/ns（最小值）
响应时间快速 DESAT 保护：200 ns、5 V 阈值
内部有源米勒箝位：4 A
发生故障时软关断：400 mA
带 PWM 输出的隔离式模拟传感器，用于：
使用 NTC、PTC 或热敏二极管进行温度感测
高压 DC-link 或相电压
过流报警 FLT 并从 RST/EN 复位
在 RST/EN 上快速启用/禁用响应
在输入引脚上抑制小于 40 ns 的噪声瞬变和脉冲
带有 RDY 电源好状态的 12V VDD UVLO
具有过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出：高达 5 V
传播延迟：130（最大值）和 30 ns（最大值）脉冲/部件时序偏差
封装：SOIC-16 DW，具有爬电距离和大于 8 mm 的间隙距离
工作结温范围：-40°C 至 +150°C
应用
电动汽车牵引逆变器
车载充电器和充电桩
HEV/EV 用 DC/DC 转换器
