型号：IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF
制造商：Infineon Technologies
制造商产品编号：IRF7855TRPBF
零件编号：IRF7855TRPBFTR-ND - 卷带（TR）
IRF7855TRPBFCT-ND - 剪切带（CT）
IRF7855TRPBFDKR-ND -定制卷带
选择
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.4 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1560 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
IRF7855
媒体和下载
资源类型 链接
规格书 IRF7855PbF
其他相关文档 IR Part Numbering System
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
特色产品 Data Processing Systems
PCN 设计/规格 Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN 组装/来源 SO8 FET Assembly Site Addition 17/Apr/2015
PCN 封装 Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 其他 Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022
HTML 规格书 IRF7855PbF
EDA 模型 IRF7855TRPBF by SnapEDA
仿真模型 IRF7855PBF Saber Model
环境与出口分类
属性 描述
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1（无限）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
