型号：IMYH200R100M1H
品牌：英飞凌
描述：碳化硅
封装：PG-TO247-4-PLUS-NT14
CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET
此乃适用于硬件开关和谐振开关拓扑结构的2000V碳化硅分立器件，英飞凌立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。IMYH200R100M1H 属于2000V的电压等级，导通电阻是100毫欧，专为电动汽车快充和太阳能发电等高压应用场景而设计。具体如功率因数校正电路（PFC），双向拓扑以及DC-DC转换器或者DC-AC逆变器等。
英飞凌碳化硅产品目前需要的性能优势：
1、具有抵御有害寄生导通效应的出色能力；
2、低动态损耗 （在桥接拓扑中的零伏关断电压情况下也能保持低动态的状态）；
3、开尔文源引脚，可以提供优异的开关性能。
英飞凌的碳化硅和其栅极驱动IC搭配使用的话，会更加完美，双剑合璧，性能更卓越（效率得到提升，节省空间，重量减轻，零件数量减少，系统可靠性增强。）
英飞凌的技术目前保持国际领先的地位。
Features
• VDSS = 2000 V at Tvj = 25°C
• IDCC = 26 A at Tc
= 25°C
• RDS(on) = 100 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C
• Very low switching losses
• Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V
• Robust body diode for hard commutation
• .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Potential applications
• String inverters
• Solar power optimizer
• EV-Charging
Product validation
• Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
• Please also note the application note AN2019-05 for power and_thermal cycling
Description
1 – drain
2 – source
3 – Kelvin sense contact
4 – gate
Note: the source and_sense pins are not exchangeable, their exchange might lead to malfunction (only for 4pin, TO263-7L)
