型号： FDS6675BZ

品牌： onsemi(安森美)

封装： SO-8

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 10.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 62 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

系列: FDS6675BZ

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 60 ns

正向跨导 - 最小值: 34 S

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 7.8 ns

包装数量：2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 120 ns

典型接通延迟时间: 3 ns

宽度: 3.9 mm

单位重量: 130 mg