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2SK1317-E 场效应管 MOSFET 直插TO-3P-3 原装现货 RENESAS/瑞萨
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制造商: Renesas Electronics
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Renesas Electronics
高度: mm
长度: mm
宽度: mm
工厂包装数量：30
单位重量: 1.600 g
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