产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.5mOhm @ 10A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22.4nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2953pF @ 25V
功率 - 最大值
64W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-1205，8-LFPAK56
供应商器件封装
LFPAK56D
