2SA1015L-TO92K-BL-TG_UTC代理商导读
欠压工作点起到迟滞作用，可让启动电容器有充分的能量供应IC。。如果VCC 电压低于欠压工作点8V，就会关闭输出电路减少工作电流。
U74HC14芯片采用的是DIP-14、SOP-14以及TSSOP-14三种方式进行封装包裹。
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SK1816MG-SIP3B-TZ3G
U74LVC1G07G-SOT353R-TG U74LVC1G08G-SOT353R-TG PUMX1G-SOT363R-TG TL431G-SOT23.3R-ATG U74LV1T08G-SOT353R-TG MMBT4401G-SOT23.3R-TG MMBT5551G-SOT23.3R-B-TG 2N7002KG-SOT23.3R-TG TL431G-SC59.3R-ATG 。
（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron *_Qg等。
MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路；。
VCC 脚位增加一高频滤波电容建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容（例如100nF MLCC），增加IC 工作稳定性，避免高频干扰。
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UT2302G-SC59.3R-TG UPC817DG-DIP4T-TG U74LV1T34G-SOT353R-TG U74LVC126AG-TSSOP14R-TG UT100N03L-TO220T-TG 。
UPC817BG-DIP4T-TG ULN2803G-SOP18R-TW2G TL431K-TO92B-1TSG UK2751G-SOT723R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-CTG 。
88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。
9NM50G-TO252R-TG BC808L-SOT23.3R-25-TG LR9102G-SC59.5R-18-TG LM358G-SOP8R-2TW2G BC847G-SOT23.3R-B-TG 。
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电路初级侧主回路由C1 正端变压器MOSFET R14、R15 C1 地端，此为电路中大开关干扰源，此回路元器件尽量靠近以缩短路径线长及回路面积，并远离小信号回路以及UCS165XS 本体，且接地1 之间的连接线路需要保持最短并且宽原则。
在IC 的VCC 脚位上电过程中，内部高压启动开关管通过Drain 脚位对VCC 脚位电容充电，VCC 上电到VCCon 后，内部高压启动开关关闭，停止对VCC 脚位电容充电，启动过程结束。
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