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SI4459ADY-T1-GE3

2023-8-21 10:20:00
  • SI4459ADY-T1-GE3

製造商: Vishay

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: SOIC-8

晶體管極性: P-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V

Id - C連續漏極電流: 29 A

Rds On - 漏-源電阻: 5 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V

Qg - 閘極充電: 129 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 7.8 W

通道模式: Enhancement

公司名稱: TrenchFET

系列: SI4

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

品牌: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降時間: 20 ns

互導 - 最小值: 24 S

產品類型: MOSFET

上升時間: 16 ns

原廠包裝數量: 2500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 P-Channel

標準斷開延遲時間: 80 ns

標準開啟延遲時間: 16 ns

零件號別名: SI4459ADY-GE3

每件重量: 750 mg