制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 4.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 78 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
系列: IRFBE
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
高度: 9.65 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
1000
子类别: MOSFETs
宽度: 4.83 mm
单位重量: 2.387 g
