类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
包装
托盘
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1220A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.35 毫欧 @ 932A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 64mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2520 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
供应商器件封装
Y3-Li
封装/外壳
Y3-Li
基本产品编号
VMO1200