VMO1200-01F

2022-11-28 11:44:00
  • VMO1200-01F

VMO1200-01F

类别

分立半导体产品

单 FET,MOSFET

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™

包装

托盘

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

1220A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

1.35 毫欧 @ 932A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V @ 64mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2520 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

-

工作温度

-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

底座安装

供应商器件封装

Y3-Li

封装/外壳

Y3-Li

基本产品编号

VMO1200

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