FET 类型
P 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
30 V
漏源电压（Vdss）
30 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
1.5 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
800 mV @ 10 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8pF @ 10V（VGS）
电阻 - RDS(On)
300 Ohms
功率 - 最大值
300 mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23（TO-236AB）
