制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SuperSOT-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: PowerTrench
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 35 ns
正向跨导 - 最小值: 9 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
系列: FDC642P_F085
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: Power Trench MOSFET
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: FDC642P_F085
单位重量: 36 mg
