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IPD25N06S4L30ATMA2

2023-3-13 14:02:00
  • 原装正品现货

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?

包装

卷带(TR)

剪切带(CT)

Digi-Reel? 得捷定制卷带

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

25A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

30 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 8μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

16.3 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1220 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

29W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

基本产品编号

IPD25N06