AFGHL50T65SQD

类别

分立半导体产品

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造商

onsemi

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

管件

Product Status

在售

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V，50A

功率 - 最大值

268 W

开关能量

950μJ（开），460μJ（关）

输入类型

标准

栅极电荷

102 nC

25°C 时 Td（开/关）值

20ns/81ns

测试条件

400V，50A，4.7 欧姆，15V

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247-3

基本产品编号

AFGHL50

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