型号：TPHR8504PL.L1Q(M
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商：Toshiba Semiconductor and_Storage
系列：U-MOSIX-H
包装：卷带（TR）剪切带（CT）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.85 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：103 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9600 pF @ 20 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：1W（Ta），170W（Tc）
工作温度：175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳：8-PowerVDFN
